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SI2303BDS-T1 |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | Vishay Siliconix | 168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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SI2303BDS-T1参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET P-CH 30V SOT23 包装数量:3000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.49A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 1.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):180pF @ 15V 功率 - 最大值:700mW 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 快动,限位,拉杆D2VW-01L1A-1HS 晶体管(BJT) EMD6T2R 圆形 - 外壳DL60R10-02P7-6117-LC 端子 - 导线引脚MNG18-47PX-A-BOTTLE 铝电容器16RX303300MGC16X31.5 振荡器ASVMPC-72.000MHZ-T3 用于 IC 的插座123-13-316-41-801000 用于 IC 的插座115-93-316-41-003000 长方形 - 弹簧加854-22-006-10-001101 嵌入式 - CPLLCMXO2-2000HC-5TG100C |